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NUシステム株式会社
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高密度ラジカル源装置

高速結晶成長 & 高品質結晶成長

両立させる唯一のラジカル源

  • MBEの成膜速度を向上させる為、従来のラジカル源より、高密度のNラジカルを供給します。
  • 同じく名古屋大学と共同開発した世界で唯一のラジカル絶対量を定量的に測れる計測器により、発生ラジカル量が製品スペックで保証された、世界で唯一のラジカル源です。
  • 不純物が発生しない様に設計されたラジカル源は、GaNの高品質結晶成長を維持したまま、従来よりも高速成長を実現します。
  • パワーデバイス、LED向けに最適なラジカル源です。
  • Oラジカルも生成可能ですので、酸化物への展開も可能です。

   

特徴1  従来よりも高密度なNラジカルは、GaNの高速成長を可能にします!

 

特徴2  高速成長下においても、高品質結晶成長を実現します!

 

特徴3  パワーを入れると瞬時にプラズマが安定するので、ラジカルの供給/停止を瞬時に制御できます!

 

機能&性能は別次元!

仕様
主要スペック
 
項目 仕様 備考
1
取付フランジ ICF114  
2
真空内挿入径 φ57mm  
3
真空内挿入長さ 標準280mm Max350mm
4
耐真空性能 1x10-8Pa以下 200℃ベーキング可
5
Heリークレート 1x10-9Pa・m3/h以下  
6
RF電源・整合器 13.56MHzx600W  
7
ガス 1/4VCR-Fメス  
8
1/4スウェージロック 0.15〜0.25MPa、3L/min
9
ラジカル密度 3x10E12cm-3 Nラジカル
10
フローレート 1〜25sccm  
オプション
1
リターディング電極・電源
2
ガス導入系
3
発光分析器
特徴
  • イオン除去、電子除去機構付
  • ICF70対向ポート付
  • ICF70石英ビューポート付
  • H,N,O高密度ラジカル発生
  • ICF114フランジ取付
  • イオンゲージ、バラトロン搭載
  • ガス供給外部制御機能付
  • プロセスチャンバー圧力調整用オリフィス付  
構成
  • 原子状ラジカル発生源
  • ヘッド一体型マッチングボックス
  • ガス供給装置
  • フィードバック制御(オプション)

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